ECT治療時電極放置對認知功能的影響，目前對電極放置的研究主要集中於雙顳、右單側、雙前額和雙側額顳之間的比較,Squire等報道,右單側ECT(即非優勢大腦半球ECT)對認知功能的影響最小,所致的遺忘和定向障礙比其他方式輕,但雙顳ECT比右單側ECT更有效。傳統上我們認為TECT治療和MECT治療都有影響智力和記憶不良反應，多傾向於MECT治療比TECT治療近期記憶受損輕。國內湯劍平等報道顯示,MECT非優勢單側電極引起的記憶減退少於雙側,故在治療時應注意電極位置對記憶的影響。MECT治療期間對患者記憶力影響是暫時的,且在終止治療2周後,基本可恢復到病前水平。而TECT治療對記憶影響持續2周以上。記憶功能和抽象思維能力是認知功能的重要組成部分，精神分裂症的認知功能障礙經有效治療可以獲得較大程度地改善甚至恢復。現在國內外有研究結果發現, MECT可能改善精神分裂症患者的短時記憶，推測短時記憶有好轉趨勢的原因可能和精神分裂症患者治療後症狀好轉有關。MECT治療對精神分裂症的記憶功能和抽象思維能力可能不造成損害，甚至有可能通過改善症狀而改善這類障礙。李冠軍等研究也未發現MECT對老年期抑鬱症患者的認知功能有明顯損害。
不少學者提出ECT治療前應儘量避免合用抗精神病藥,可減少對認知功能的損害。謝勇等認為,ECT治療前合用低效價抗精神病藥,易導致休克性低血壓,因低效價抗精神病藥的低血壓作用能被ECT增強,若必須用抗精神病藥,應首選高效價藥物。氯氮平易引起呼吸時間延長等,故在治療中應儘量避免或少用,避免患者抽搐醒後意識混亂的時間延長,程度加重,認知功能損害也加重。而陳正平等認為:在常規劑量條件下,各類精神藥物(包括抗精神病藥、抗抑鬱藥、苯二氮類藥物、鋰鹽、抗癲癇藥物)對MECT發作效果無重大影響,治療前可以不必考慮停藥或減藥，苯二氮類藥物對治療電量的控制有一定關係,因此,在電休克治療操作時對使用較大劑量苯二氮類藥物的患者,可以考慮使用較大一些的電量。
